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Al/CuO含能桥多点点火能力研究
摘要: 为了研究 Al/CuO含能桥多点点火能力,采用磁控溅射镀膜技术制备 Al/CuO含能桥,利用扫描电子显微镜测量出Al膜的沉积速率为9.50nm/min,CuO膜的沉积速率为26.06nm/min。通过对掩膜精度、含能桥相对靶材位置的分析,进而得出与含能桥电阻的关系。结果表明:掩膜板长宽比越大,含能桥电阻越大。位于溅射中心的地方含能桥电阻较小。同时观察出掩膜板...   查看全部>>

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