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首页 > 学位首页  > 宽禁带半导体器件的开关过程建模与分析
宽禁带半导体器件的开关过程建模与分析
摘要: 以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件相比于传统Si器件,具有高击穿电压、高饱和漂移速度、高工作频率以及高工作结温等优点,可以大幅改善电力电子系统的性能。本文以SiC MOSFET为研究对象,研究电路中寄生参数对其开关过程的影响。SiC MOSFET的开关速度极快,寄生参数对其开关特性的影响远比传统Si器件要明显,在实际工程应用中,通过建模进行前期优化设计...   查看全部>>

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