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SiC薄膜制备与压阻特性研究
摘要: SiC薄膜是宽禁带半导体材料,它具有热稳定性好、机械强度高、抗腐蚀、抗辐照等优异特性。本课题开展了SiC薄膜制备工艺研究,采用射频磁控溅射方法分别在单晶Si衬底和SiO2层上制备了SiC薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外可见光光度计、台阶仪等仪器对薄膜的微结构、表面形貌、禁带宽度等特性进行分析。在两种衬底类型上分别研究了溅射功率、沉积时间、衬底温度、...   查看全部>>

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