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一种改善卷边残铜的封装基板制造方法
摘要: 本发明提供一种改善卷边残铜的封装基板制造方法,涉及封装基板技术领域。该改善卷边残铜的封装基板制造方法,包括以下步骤:S1、准备宽幅为153±0.1mm,且由金属层和绝缘薄膜层构成的基材;S2、准备宽幅为158±0.1mm的PI层,将PI层粘附在基材的绝缘薄膜层上;S3、使用专用冲孔设备,对金属层、绝缘薄膜层和PI层组成的基材进行冲孔加工。通过使用的基材比以往...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201911114664.X
  • 申请日期:
    2019-11-14
  • 公开/公告号:
    CN110690124A
  • 公开/公告日:
    2020-01-14
  • 主分类号:
    H01L21/48(2006.01)  H  H01  H01L  H01L21 
  • 分类号:
    [H01L21/48(2006.01), G03F7/16(2006.01), H01L21/48, G03F7/16]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河路北侧、华山路西侧
  • 专利代理机构:
    北京化育知识产权代理有限公司
  • 代理人:
    肖红元
  • 国别省市代码:
    江苏;32
  • 主权项:
    1.一种改善卷边残铜的封装基板制造方法,其特征在于:包括以下步骤: S1、准备宽幅为153±0.1mm,且由金属层和绝缘薄膜层构成的基材; S2、准备宽幅为158±0.1mm的PI层,将PI层粘附在基材的绝缘薄膜层2上; S3、使用专用冲孔设备,对金属层、绝缘薄膜层和PI层组成的基材进行冲孔加工,在PI层的两侧边缘2.5mm区域内冲出相等间距排列的相同大小的链轮孔; S4、金属层、绝缘薄膜层和PI层组成的材料进行加工,在基材的金属层上进行光刻胶涂布,在金属层和PI层上形成一层光刻胶薄层; S5、使用专用曝光设备,通过PI层上的链轮孔精准搬送,对基材金属层上的光刻胶进行曝光; S6、曝光完成后,将PI层剥离,仅留下曝光后基材; S7、对曝光后的基材进行显影、蚀刻、剥离等加工,最终在金属层上形成所需的线路图案。
  • 法律状态:
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