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1.目录3D IC封装中铜柱凸点和硅通孔互连的可靠性

thesis_Y3253633

[博士论文]马会财材料学中国科学院大学2017

摘要：在3D微电子封装过程中，铜柱凸点和硅通孔互连(TSV)是两项关键的技术，本文旨在研究这两项技术在电场、热场、热循环和电热耦合场下的寿命以及界面可靠性。　　设计了正交电迁移实验组，测得了铜柱凸点的寿命数据，并基于Black方程给出了寿命预测方程的相关参数，其中电迁移激活能和电流密度指数分别为0.88eV和1.64。通过观察界面化合物随电流作用的演变，发现在铜柱凸点失效前焊料Sn全部转化为了金属间

电子封装铜柱凸点硅通孔互连正交电迁移失效模式

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