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1.ICPCVD法低温制备SiO2薄膜技术研究

conference_8881797

[会议论文]张力江张彤2014第十届全国塑料光纤聚合物光子学会议

摘要：等离子淀积过程是一个复杂的物理和化学反应过程，相比于PECVD(等离子增强气相沉积)法需要在300℃才能获得优异的二氧化硅薄膜，本文通过对ICPCVD设备和上艺的研究，获得了在低温(20℃)下淀积二氧化硅的工艺条件，并对工艺条件进行了压力、功率、硅烷流量方面的优化，为敏感器件和低温聚合物器件的工艺制备提供了一种选择。

半导体材料二氧化硅薄膜感应耦合等离子气相沉积工艺优化低温特性

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2.分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

periodical_zkkx199803001

[期刊论文]江南M.C.HugonB.Agius等-《真空科学与技术学报》CSTPCD北大核心EICSCD1998年3期

摘要：介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺.讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响.采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究.在此基础上,还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试,并在最后给出了采用

SiO2薄膜分布式电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积薄膜晶体管

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3.栅极二氧化硅绝缘层的制备及其特性的研究

conference_8440049

[会议论文]李广录王琨高平羽20142014中国平板显示学术会议

摘要：本文研究了金属氧化物薄膜晶体管栅极二氧化硅薄膜绝缘层的制备和性能.二氧化硅的制备采用低温等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),高质量和高绝缘性的氧化硅能够减少栅极漏电流和提高栅极击穿电压,同时二氧化硅薄膜还能够保护金属氧化物层免遭等离子体的损害来提高金属氧化物的电学特性.本文还研究了通过改变N20/SiH4的配比、成膜功率和成膜温度,来得到高质量和高绝缘性的二氧化硅薄膜,同时还研究了不同条件

薄膜晶体管栅极绝缘层二氧化硅薄膜增强等离子体法电学性能

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4.二氧化硅基质中包埋硅纳米晶薄膜的光学性质研究

periodical_zkkx200605010

[期刊论文]支壮志祁阳杨华哲等-《真空科学与技术学报》CSTPCD北大核心EICSCD2006年5期

摘要：本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在不同的SiH4和CO2气体流量比率(GFRRSC)下,制备了基质中包埋硅纳米晶的二氧化硅薄膜.微区拉曼光谱计算结果表明,随着GFRRSC降低,硅晶粒平均尺寸逐渐减小.吸收光谱的计算结果表明,由量子限制效应所致光学带隙随着GFRRSC降低而逐渐展宽.在1.4 eV～2.4 eV能量区间发现多个发光峰.在低温下(80K)观测到声子参与的发射光谱

光致发光PECVD拉曼光谱分析声子

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5.目录绝缘衬底上石墨烯薄膜的制备及其在电子器件中的应用

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[硕士论文]任利鹏电子科学与技术河北工业大学2018

摘要：石墨烯作为新型的二维电子材料，因具有极高的电子迁移率和透光性等特性，使得其在电子信息领域拥有巨大的应用价值，例如超级电容器、场效应晶体管、薄膜传感器等。而石墨烯场效应晶体管具有较高的载流子迁移率、截止频率以及响应速度等优势，也使得石墨烯成为最有可能替代硅的下一代半导体材料。　　化学气相沉积（CVD）方法目前已经成为制备石墨烯的最适宜的工艺方法。近年来，随着CVD工艺制备石墨烯研究的逐步深入，也

石墨烯薄膜绝缘衬底等离子体强化化学气相沉积场效应器件

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6.目录液相沉积SiO2薄膜在太阳能电池上的应用

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[硕士论文]林涛物理化学复旦大学2014

摘要：硅片背面节省了5.8μm的硅料损失。　　我们尝试应用该法对尺寸为15.6×15.6 cm2的单晶硅片进行单面制绒处理并随后制备成电池。然而，由于前驱体溶液中Si(OH)nF4-n自沉积加剧，在大尺寸硅片上的二氧化硅薄膜沉积速率变得十分缓慢。四组背表面带有不同厚度LPD-SiO2薄膜的单晶硅片被用于进行太阳能电池制造与之后的光电转换效率测试。实验结果表明:在低于120 nm的LPD-SiO2掩膜保护下

太阳能电池二氧化硅薄膜液相沉积法反应机理

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7.目录苒入式氧化物制备和物理性能研究

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[博士论文]支壮志材料物理与化学东北大学2008

摘要：具体工作如下:　　 1.采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在不同SiH4和CO2气体流量比率(GFRRSC)下,制备了二氧化硅基质中镶嵌硅纳米晶薄膜。微区拉曼光谱、红外吸收光谱、透射光谱,室温和变温光致发光光谱用来分析表征薄膜的结构和光学性质。结果表明,随着GFRRSC降低,硅晶粒平均尺寸逐渐减小:由于量子限制效应导致光学带隙逐渐展宽。同时,在1.4 eV～2.4 eV能量区间发现多

纳米晶薄膜镶嵌结构二氧化硅氧化锌Bi系高温超导体量子点PECVD

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8.目录高性能微晶薄膜晶体管技术研究

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[硕士论文]董瀚鹏物理电子学东南大学2012

摘要：法国雷恩第一大学间合作协议的基础上，利用中法双方实验室的设备共同完成的。本文主要的研究工作与成果可概括如下:　　 1、首先研究了微晶硅薄膜制备参数对薄膜晶体管性能的影响。由于目前低温生长条件下的PECVD制备的微晶硅薄膜工艺较为成熟，很难进一步改善迁移率，因此，本文通过将PECVD生长温度提升至250℃来改善薄膜的结晶度。这一生长温度仍然可以应用于部分高耐温塑料柔性衬底。考虑到氩离子在PECVD中

微晶硅离子增强化学气相沉淀射频溅射薄膜晶体管工艺制备

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9.目录低压双电层氧化物薄膜晶体管的研究

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[博士论文]陆爱霞凝聚态物理湖南大学2011

摘要：溅射等方法制备了双电层低压氧化物薄膜晶体管,并对不同衬底,不同沟道,不同工艺下的薄膜晶体管的制备以及电学性能进行了研究,取得的主要研究成果有以下几方面:　　 (1)采用磁控溅射和PECVD沉积技术,在全室温工艺条件下以硅片为衬底制备底栅结构的铟锡氧化物(ITO)薄膜晶体管。栅介质二氧化硅(SiO2)是采用PECVD技术,硅烷(SiH4)和氧气(O2)作为的反应气体制备的。这个条件下沉积的SiO2

薄膜晶体管双电层氧化物单掩模自组装等离子增强化学气相沉积磁控溅射

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10.目录面向电子皮肤的触觉传感器件的制备与性能研究

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[博士论文]王春枫材料加工工程郑州大学2019

摘要：皮肤研究中压力/应变传感器的空间分辨率低、微小应变检测灵敏度差和响应时间长等问题，基于压电半导体纳米线（纳米棒）和微裂纹结构金属薄膜，组装高空间分辨率、高灵敏度和快速响应的压力/应变传感阵列器件，实现对压力或应变分布的检测及成像。本论文主要研究工作及取得的创新性成果如下:　　1.利用水热合成法成功制备了大规模硫化镉(CdS)压电半导体纳米棒阵列，组装出应力敏感的CdS纳米棒/p-型有机物p-n结

触觉传感器制备工艺性能表征

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11.目录掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的电学输运性质研究

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[硕士论文]钱明庆微电子学与固体电子学南京大学2017

摘要：硅材料，同时也需要对掺杂纳米硅材料的电学性质和载流子输运性质有深入的理解。本论文主要通过等离子增强化学气相沉积法(PECVD)结合高温热退火技术制各了硼、磷掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜，利用高分辨透射电镜(HR-TEM)、拉曼散射谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)，能量色散X射线光谱(EDX)等手段对掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的结构和化学组成进行了表征。同时我们还通过变温霍尔效应测试系统探究

磷掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜电导率Mott转变载流子输运硼原子掺杂

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12.目录纳米硅/二氧化硅多层膜的磷掺杂效应研究

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[博士论文]陆鹏电子科学与技术南京大学2016

摘要：的磷掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜中观察到了局域表面等离激元共振(LSPR)效应，并研究了其信号随着磷掺杂浓度和纳米硅尺寸的变化。　　论文的主要研究内容和创新点如下:　　1.在PECVD系统中，利用气相生长非晶硅时的原位掺杂方法，制备了厚度可控的磷掺杂非晶硅/二氧化硅多层膜结构，并通过高温退火获得了磷掺杂纳米硅/二氧化硅多层结构材料。采用激光拉曼散射、透射电子显微镜等技术对不同退火温度下形成的掺杂纳米

纳米硅二氧化硅多层膜结构磷掺杂电子结构光电特性

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13.一种选择性发射极电池掩膜的制备方法发明授权patent_CN201210369319.2_sq

[专利]发明专利CN201210369319.2东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司申请日：2012-09-27 公开日：2014-05-21

摘要：本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升高压强，同时通入N2O；检测炉管压强，30s内降低压强；进行预沉积处理，通入NH3、SiH4和N2O；沉积处理，同时向炉管内通入NH3、 SiH4 和N2O；沉积完毕后降温，同时通入N2进行吹扫及冷却处理。本发明方法制作氮氧化硅

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14.一种选择性发射极电池掩膜的制备方法发明公开patent_CN201210369319.2

[专利]发明专利CN201210369319.2东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司申请日：2012-09-27 公开日：2013-01-30

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15.目录面向嵌入式应用的新型阻变存储器的研究

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[硕士论文]高德金微电子学与固体电子学北京大学2010

摘要：.针对目前报道的二氧化硅阻变存储器需要高温退火的问题,首次通过改变氧化硅中硅元素和氧元素的比例,在全低温工艺下实现了新型SiOx阻变存储器,且制备工艺与传统CMOS工艺相兼容。通过改变氧化硅中硅元素和氧元素的比例,破坏二氧化硅完整的网络结构,在二氧化硅中引入缺陷和陷阱,使其变得疏松利于铜扩散,不需要高温退火工艺处理,实现了与后端工艺相兼容。研究结果表明,SiOx阻变存储器具备阻变特性,且其阻变电压

阻变存储器嵌入式系统二氧化硅高温退火阻变电压金属氧化物阻变极性

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16.一种N型晶硅电池硼发射极的钝化方法发明授权patent_CN201510562071.5_sq

[专利]发明专利CN201510562071.5中国东方电气集团有限公司申请日：2015-09-07 公开日：2017-05-31

摘要：本发明提供了一种N型晶硅电池硼发射极的钝化方法，其钝化步骤如下：首先在N型硅衬底的两面分别形成磷掺杂N+层和硼发射极P+层；然后将N型硅衬底进行氧化钝化处理，在磷掺杂N+层和硼发射极P+层上分别生成氧化硅薄膜；最后在N型硅衬底两面的氧化硅薄膜上沉积SiNx薄膜；本发明利用二氧化硅和氮化硅叠层薄膜作为硼发射极的钝化膜，其中二氧化硅由低温干法氧化制备生成，厚度为2～10nm，氮化硅采用PECVD方法

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17.一种N型晶硅电池硼发射极的钝化方法发明公开patent_CN201510562071.5

[专利]发明专利CN201510562071.5中国东方电气集团有限公司申请日：2015-09-07 公开日：2016-01-13

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