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[专利] 实用新型 CN201821939228.7
摘要:一种微流体致动器,包含一基板、一腔体层、一振动层、一下电极层、一上电极层、一孔板层及一流道层。基板借助于蚀刻制程形成一出流孔洞、多个第一进流孔洞以及一第二进流孔洞。腔体层形成于基板上,并借助于蚀刻制程形成一储流腔室。振动层形成于腔体层上。下电极层形成于振动层上。压电致动层形成于下电极层上。上电极层形成于压电致动层上。孔板层借助于蚀刻制程形成一出流口以及一进流口。流道层形成于孔板层之上,借助于光刻制程形成一出流通道及一进流通道,并接合于基板。提供驱动电源至上电极层及下电极层,以驱动并控制振动层产生上下位移,以完成流体传输。
[专利] 发明专利 CN201910992764.6
摘要:本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法,该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方,使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置,并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液,以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥,此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用,使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列,在碳纳米管溶液完全蒸发后,通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的,并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控,可以实现有效区域的完全覆盖。
[专利] 发明专利 CN201910964080.5
陕西科技大学 2020-01-14
摘要:本发明公开了一种微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法,从下至上依次包括Cu基底、金属过渡层和CVD金刚石薄膜,Cu基底上阵列分布有直径0.3~0.5mm,间距2~3mm的微通孔,金属过渡层的表面静电组装金刚石纳米颗粒。本发明散热效果优于Ag、Cu、Al等传统热沉片,提高了金刚石薄膜和Cu金属基底之间的粘附性,以及金刚石的形核密度;微通道Cu基金刚石热沉片散热性能更优。
[专利] 发明专利 CN201910793476.8
摘要:本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法,包括以下步骤:S1、在衬底层晶圆制备隔离槽;S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层,形成垂直引线;S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱;S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合;S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点;S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合,再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极;S7、制备盖帽;S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合;S9、制备接触孔;S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点;本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响,且加工工艺简单。
[专利] 发明专利 CN201910865799.3
山东大学 2020-01-14
摘要:本公开提供一种MOEMS二分量加速度传感器、测量系统及工作方法。其中,MOEMS二分量加速度传感器包括硅基振动敏感结构,其包括硅微质量块,硅微质量块的四个端点分别与一梯形结构的蛇形悬臂梁相连;硅微质量块的四个端点在同一平面内且构成的两条斜对角线相互垂直;光子晶体波导结构,设置在硅微质量块的顶端,与硅微质量块不接触;光子晶体波导结构的输入端与光源相连,输出端与信号解调模块相连;移动硅基部件,其一端位于光子晶体波导结构的中间空气介质层的中心位置,另一端连接在硅微质量块的顶端中心位置。
[专利] 发明专利 CN201910793426.X
摘要:本发明公开一种抗干扰MEMS器件,包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层,感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极;衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线;所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连;所述感应电极底部设有硅支撑柱,硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连,使感应电极与衬底层之间形成间隙;该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径,使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降,从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性,提高了传感器抗干扰能力。
[专利] 发明专利 CN201910841210.6
湖南师范大学 2020-01-10
摘要:一种可视化检测尼古丁的纸质传感器及其制备方法和应用,所述纸质传感器包括附着有介孔二氧化硅纳米孔道的ITO电极基片和纸质盖片;所述ITO电极基片表面的介孔二氧化硅富集电化学发光剂三联吡啶钌,当尼古丁通过氧化去质子化形成强还原自由基,强还原自由基与三联吡啶钌反应生成激发态的三联吡啶钌,根据激发态回到基态释放光子的发光信号强度检测尼古丁溶液的浓度。本发明还包括所述纸质传感器的制备方法和应用。使用本发明进行尼古丁检测,样品消耗少,节约成本,操作简单,灵敏度高,检测限低,稳定性好且抗干扰性好。
[专利] 发明专利 CN201910958633.6
摘要:本发明涉及一种基于金属微针尖端放电的负氧离子发生器及其,包括电源、设有进口与和出口的腔体、设于所述腔体内的两个金属微针,所述两个金属微针的尖端相对设置,所述两个金属微针通过导线与所述电源连接;所述金属微针包括基座和设于所述基座表面的微针阵列;该微针阵列包括若干呈矩阵分布的四棱锥形微针,其中所述四棱锥形微针包括立柱和设于所述立柱上的针尖。与现有技术相比,本发明为微小型高密度的金属微针尖端放电产生负氧离子的装置,具有结构简单、生产成本低、操作简单、轻巧方便、应用范围广等优点。
[专利] 发明专利 CN201910870721.0
吉林师范大学 2020-01-10
摘要:本发明公开了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法,属于周期纳米材料制备技术领域,本发明的目的是解决目前一种制备方法仅能适用于一种材料的,无法推广到另一种材料的问题,本发明提出了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法,该方法以二维胶体阵列为基础,采用二次模版方法,制备出了高度有序的纳米棒状结构阵列,这种棒状结构可以为金属、合金、半导体及其相关异质结构。
[专利] 发明专利 CN201910983856.8
武汉大学 2020-01-10
摘要:本发明属于仿生材料技术领域,尤其涉及一种仿生壁虎极端渐进式刚柔梯度微柱结构的制备方法及其应用。本发明利用自漂浮光引发剂技术和磁场驱动磁性增强颗粒的梯度分布,能够实现具有极端力学梯度(局部弹性模量变化3个量级以上:<10MPa‑~10GPa)微柱结构的制备;同时微柱阵列的一端为纯基体、另一端为不同尺寸颗粒高度混合填充、中间按颗粒尺寸和浓度层次渐进分布,这种渐进式梯度结构解决了刚柔材料在结合时的界面相容与匹配问题,大幅调高了结构稳定复合微柱的最大长径比。
[专利] 发明专利 CN201910870299.9
吉林师范大学 2020-01-10
摘要:本发明公开了一种高度有序并且呈轴对称的纳米周期性结构的制备方法,本发明属于纳米结构转换和复合材料合成技术领域,本发明方法以纳米碗结构为基础结构,通过入射光对纳米碗的热点分布进行调控,实现了银纳米粒子生长位置和大小的可控,并且制备出了高度有序、定域生长银纳米粒子组成的纳米环状周期结构。该方法不同于传统的物理方法和化学腐蚀方法,是一种全新的纳米周期结构制备的方法,该方法有望应用于更多有趣的周期结构的制备。
[专利] 发明专利 CN201910793511.6
摘要:本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构,包括相互键合的衬底层与可动结构层,衬底层顶部中心设有空腔,衬底层顶部设有环形隔离槽,环形隔离槽位于空腔外周,环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点;可动结构层包含可动结构外框,可动结构外框内设有双端固支板结构,可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽,环形应力释放槽与环形隔离槽相对应;环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑;双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁;本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
[专利] 发明专利 CN201911137945.7
苏州大学 2020-01-10
摘要:本发明揭示了一种表面等离激元共振装置及制备方法、吸水量检测系统及方法,表面等离激元共振装置包括:衬底、位于衬底上的金属膜和位于金属膜上的高分子薄膜,所述高分子薄膜上设置有若干阵列分布的表面等离激元谐振腔,所述高分子薄膜在不同吸水量条件下的厚度不同。本发明中的表面等离激元共振装置用于检测高分子水凝胶的定向溶胀,结合表面等离激元共振(SPR),实现了密闭湿度环境内吸水量的原位无损检测,其应用范围较传统的湿度计和湿度指示硅胶有了明显的扩展。
[专利] 发明专利 CN201880027814.0
应美盛公司 2020-01-10
摘要:本公开内容公开用以于微机电系统中提供吸气剂的系统与方法。在一些实施例中,微机电系统(MEMS)被接合至基底。所述MEMS及所述基底之间具有第一空腔及第二空腔。第一吸气剂被提供于所述第一空腔中所述基底上,且与电极被整合。第二吸气剂被提供于所述基底上的鈍化层上方的所述第一空腔中。在一些实施例中,所述第一空腔为陀螺仪空腔,且所述第二空腔为加速度计空腔。
[专利] 实用新型 CN201921088046.8
摘要:本申请公开了一种硅晶圆结构,硅晶圆结构包括:硅晶圆主体,在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽,硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角,其中,第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护,使正面腐蚀时可以停止在薄膜上,夹角处被保护,可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。
[专利] 发明专利 CN201880036430.5
摘要:本发明涉及一种用于对构件、壳体和类似的进行液体防护并用于其通气的装置,包括:至少一个第一层,其中,第一层构造为膜片并且具有第一区域,该第一区域构造为在低于第一液体压力的情况下是透气和液密的;和,至少一个第二层,其中,第二层至少部分与第一层压力密封连接并具有第二区域,该第二区域构造为,使得在大于或等于第一液体压力的液体压力的情况下,第一区域和第二区域共同作用以针对液体进行密封。
[专利] 发明专利 CN201910958729.2
摘要:本发明涉及一种增强散热Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及其制备方法,通过先对衬底进行预处理后,再沉积Cu膜,之后在有氧环境中进行退火处理,制得Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜结构中,纳米线之间紧密排列,电学性能大幅提升,适合作为电极材料使用。纳米线阵列膜在面内方向的热导率降低,在面外方向具有接近于块体铜材料的热导率,膜的散热功能好,Cu‑Cu2O核壳结构使纳米线阵列的稳定性增强。本发明所述的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极,具有抗氧化性能和热导率各向异性,导电性高,热传导性强。方块电阻50‑200mΩ/□,面外热导率270‑378W/mK,面外与面内热导率的比值10‑60。
[专利] 发明专利 CN201911093314.X
摘要:本发明提供一种封装模块及采用该封装模块的压力传感器,所述封装模块包括:外壳,基板,所述外壳扣合在所述基板上,所述外壳与所述基板形成容纳腔;压力敏感芯片,置于所述容纳腔内,且通过玻璃烧结层固定在所述基板上;调理芯片,置于所述容纳腔内,且固定在所述基板上,所述压力敏感芯片与所述调理芯片电连接,所述调理芯片与所述基板电连接。本发明的优点在于,采用玻璃烧结层将所述压力敏感芯片与所述基板密封连接,大大增强了压力敏感芯片与基板的连接强度,耐压力冲击,耐腐蚀性能好,密封特性好,可以提高传感器的压力量程,可应用于高压传感器,且适用于大量程的压力传感器。
[专利] 发明专利 CN201810706739.2
摘要:本发明提供一种基片的刻蚀方法。该方法包括:将形成有掩膜图形的基片设置在刻蚀腔内,所述掩膜图形的形状与所述斜台结构的图形对应;向所述刻蚀腔内通入工艺气体,所述工艺气体包括刻蚀气体和沉积气体;对所述工艺气体进行等离子体化,以使得等离子体化的刻蚀气体对所述基片进行刻蚀,并且等离子体化后的沉积气体能够在接触到基片材料后形成沉积层。刻蚀得到的斜台结构角度可控、工艺简单、质量提高。
[专利] 发明专利 CN201910793400.5
摘要:本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法,包括以下步骤:制备衬底层;在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点;在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔;在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔;制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点;去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层;形成感应电极层与可动敏感结构层;制作盖帽,进行盖帽键合,完成所述MEMS加速度计的制备;本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑,形成准悬浮式的感应电极结构,有效降低外界干扰对感应结构的影响,提高了传感器的环境适应性;可动敏感结构层为双层结构,进一步提高了传感器的耐过载能力。
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