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[专利] 发明专利 CN201811124163.5
摘要:本发明公开了一种非制冷红外探测器,其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点,实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻,从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下,可以有效减小锚点的体积,从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法,所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
[专利] 发明专利 CN201811083699.7
柯良节 2018-12-21
摘要:本发明公开一种剥离多层二维材料的方法,其中,包括步骤:提供第一螯合剂和第二螯合剂,所述第一螯合剂螯合金属离子的能力大于所述第二螯合剂螯合金属离子的能力;在真空条件下,将多层二维材料与所述第一螯合剂以及非离子水混合,搅拌使所述第一螯合剂插入到所述多层二维材料的层与层之间,得到混合溶液;将螯合了金属离子的第二螯合剂加入所述混合溶液中,在预定温度条件下搅拌预定时间,使所述混合溶液中的多层二维材料发生层与层之间的分离。本发明方法简单、环保易实现,且剥离效率高,能够快速制得单层或少层二维材料。
[专利] 发明专利 CN201811020543.4
黑龙江大学 2018-12-11
摘要:本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管,在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4),其中,所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向,以进行测量。本发明所述的磁场传感器,结构简单,体积小,集成化程度高,其制作工艺操作方便,易于实现,适合大规模工业应用。
[专利] 发明专利 CN201811008540.9
广东工业大学 2018-12-14
摘要:本发明提供了一种纳米阵列复合材料的制备方法,包括:S1)将纳米聚苯乙烯小球乳液与稀释剂混合,得到稀释液;S2)将所述稀释液在二维材料表面铺展,干燥后,得到纳米阵列模板;S3)在所述纳米阵列模板上沉积金属,除去纳米聚苯乙烯小球后,得到纳米阵列复合材料。与现有技术相比,本发明利用聚苯乙烯小球的气液界面自组装特性在二维材料表面形成纳米阵列模板,再以此为基础沉积金属,去除模板后即可得到纳米阵列复合材料,该方法简单易行,不需要昂贵的光刻设备和进行繁琐的光刻步骤。
[专利] 发明专利 CN201810984302.5
苏州大学 2018-12-28
摘要:本发明揭示了一种电热微夹持器,包括基体、驱动臂和夹指,驱动臂与基体连接,电热微夹持器还包括散热梁,散热梁连接在驱动臂和夹指之间。本发明由散热梁连接驱动臂与末端夹指,制作工艺简单,加工成本低,不需要过多的外界辅助条件便可以有效降低夹指的温度,在微机电系统领域具有广泛的应用价值。
[专利] 发明专利 CN201810981317.6
摘要:本发明公开了一种芯片双面切割工艺,包括如下步骤:S1、在MEMS芯片的背面粘贴蓝膜;S2、设定切割深度为MEMS芯片正面材质的厚度,采用切割机对MEMS芯片的正面进行半切,并将MEMS芯片的正面材质边缘切穿,便于反切时定位;S3、将MEMS芯片背面的蓝膜去除,再在MEMS芯片的正面贴UV膜进行保护;S4、采用切割机对MEMS芯片的背面进行切割;本发明设定切割深度为MEMS芯片正面材质的厚度,采用切割机对MEMS芯片的正面进行半切,并将MEMS芯片的正面材质边缘切穿,便于反切时定位,解决两种材质键合MEMS芯片的切割质量问题;MEMS芯片双面切割工艺,有效防止两种材质键合MEMS芯片切割时断刀或产品崩裂报废,减少刀片损耗,降低成本。
[专利] 发明专利 CN201810966348.4
摘要:本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法,具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形,露出部分底硅层表面;然后以底氧化层图形为掩膜,对MEMS圆片进行深硅蚀刻,露出埋氧层表面,底硅层被蚀刻成应力缓冲结构,形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔;再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中,形成中心埋氧图形,形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片;最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部,达到降低封装应力的目的,其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
[专利] 发明专利 CN201810939279.8
摘要:本发明公开了一种传感器封装结构及方法,涉及传感器封装技术领域,该传感器封装结构包括线路基板、预制基板、MEMS压力传感器、第一胶体、ASIC芯片和第二胶体,预制基板包括底板和与所述底板连接的侧墙,所述底板和侧墙围成一上端开口的腔体,MEMS压力传感器设置于所述腔体内,MEMS压力传感器与预制基板电性连接,MEMS压力传感器通过第一胶体封装于所述腔体内,ASIC芯片与所述线路基板电性连接,预制基板的底板与线路基板电性连接,ASIC芯片和预制基板通过第二胶体封装于所述线路基板上。该传感器封装结构可靠性高,该传感器封装方法封装难度低,而且MEMS压力传感器在封装过程中不需要提前预制特殊的模具,大大降低了前期的开发成本。
[专利] 发明专利 CN201810936487.2
湖南文理学院 2018-12-21
摘要:本发明公开了一种硅基凸面反射镜的制备方法,该方法是将常规作为电极的薄铂片做成空心球体并把从空心球体上截得的一个球冠做成阴极,圆形硅片为阳极,球冠形薄铂片的凸面背离着硅片;先采用恒流源对硅片进行电化学腐蚀,在硅片靠近球冠形薄铂片的一侧面上形成剖面为凸形的多孔硅膜;再采用化学腐蚀的方法腐蚀掉多孔硅膜,从而形成硅基凸面反射镜。通过本发明的方法,能获得硅基凸面反射镜,能广泛应用于微光机电系统,为微光机电系统领域作出了重大的贡献。
[专利] 发明专利 CN201810922267.4
摘要:本发明涉及新材料技术领域,且公开了一种量子传输型高性能薄膜感知材料,包括以下重量份数配比的原料:叉指电极20‑50克、单晶硅片50‑90克、SiO2绝缘层10‑30克、金属薄膜20‑40克、Pd纳米粒子50‑100克、PMMA保护层60‑80克、Cr纳米粒子50‑100克、Ni纳米粒子50‑100克、AI纳米粒子50‑100克、PET塑料100‑120克和Pd‑Ni合金纳米粒子50‑100克。该量子传输型高性能薄膜感知材料的制备方法,量子电导纳米薄膜感知材料具有极高的灵敏度,如量子电导纳米应变薄膜感知材料的灵敏度可比常规的金属应变片高几十到上百倍,纳米粒子点阵的等效电阻在M欧以上,远远大于金属箔片的电阻,因此可以实现低功耗(纳W到微W量级)与微型化,易于与电学测量单元集成于一个芯片上,与MEMS高度兼容。
[专利] 发明专利 CN201810902312.X
摘要:本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法,包括对晶圆进行晶圆级结构释放;在晶圆正面的边缘部键合挡板;其中,晶圆正面的中心部与挡板相分离;在挡板背向晶圆一侧表面贴附第一薄膜,并将晶圆固定于切割框架;利用激光从晶圆背面对晶圆进行隐形激光切割;在切割晶圆完成之后,对晶圆进行解键合,以分离晶圆与挡板。通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率;在晶圆的正面键合挡板可以通过挡板有效的保护晶圆正面的MEMS结构;通过激光从晶圆的背面进行隐形激光切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生,同时避免从晶圆正面进行切割,从而可以有效避免在晶圆正面设置复杂的切割道等结构,减少晶圆正面MEMS结构设计的困难。
[专利] 发明专利 CN201810902280.3
摘要:本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法,包括对晶圆进行晶圆级结构释放;在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜,并将晶圆固定于切割框架;利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率;对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时,保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面;通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备,从而有效降低了晶圆加工的成本。
[专利] 发明专利 CN201810902315.3
摘要:本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备,包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置;所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域,以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时,气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气,通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面,从而有效去除晶圆表面的表面颗粒;同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体,几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏,从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法,同样具有上述有益效果。
[专利] 发明专利 CN201810896093.9
摘要:本发明公开了一种传感器封装结构及方法,涉及传感器封装技术领域,该传感器封装结构包括线路基板、ASIC芯片、第一胶体、MEMS压力传感器和第二胶体,所述第一胶体包括首尾相接的四个侧墙和位于所述侧墙内的封装胶体,四个所述侧墙的高度大于所述封装胶体的高度,所述封装胶体包覆所述ASIC芯片,所述MEMS压力传感器包括MEMS芯片和芯片管脚,所述MEMS芯片位于所述封装胶体的上表面,所述芯片管脚电性连接至所述线路基板,所述第二胶体包覆所述MEMS芯片和所述芯片管脚与所述线路基板之间的引线。该传感器封装结构在采用本发明提供的传感器封装方法进行封装时封装工序简单,能够实现小型化封装,而且在封装时对ASIC芯片和MEMS压力传感器的大小没有特殊要求。
[专利] 发明专利 CN201810897130.8
厦门大学 2018-12-21
摘要:一种刺入力度可控的微针干式电极,涉及干式电极。从外到内依次设有微针阵列层、压力测量层和压力供给层,所述微针阵列层在使用过程中直接与皮肤接触;所述压力测量层用于微针阵列层与压力供给层的连接。所述微针阵列层设有微针、喷墨打印电路和PDMS基底。所述压力测量层设有聚偏氟乙烯压电聚合物薄膜、喷墨打印电路和PDMS基底。所述压力供给层设有介电弹性体、喷墨打印电路、PDMS基底和塑料背板。可以精确地控制刺入力,解决了刺入力过大时造成的疼痛感和刺入力过小时噪声增大的问题,提升使用性能。
[专利] 发明专利 CN201810895262.7
摘要:本发明公开了一种传感器封装结构、方法及封装模具,该传感器封装结构包括线路基板、ASIC芯片、第一胶体、MEMS压力传感器和第二胶体,线路基板包括与ASIC芯片对应的第一封装区,和与MEMS压力传感器对应的第二封装区,第一胶体将ASIC芯片封装于所述第一封装区,第一胶体通过封装模具一体成型,第一胶体围成一空腔,第二胶体填充于所述空腔内,MEMS压力传感器通过第二胶体封装于第二封装区。该封装模具包括上模块和下模块,上模块上设置有与第一封装区对应的型腔和与第二封装区对应的模块,该封装模具应用于本发明的传感器封装方法,该传感器封装方法封装工序简单、封装成本低,该传感器封装结构可靠性更高。
[专利] 发明专利 CN201810870421.8
北京大学 2018-12-28
摘要:本发明公开了一种三维全金属微腔结构表面等离激元阵列加工方法。其主要步骤包括:衬底材料准备;在所述衬底上沉积金属铝;接着在铝膜上进行光刻形成图形化衬底;然后在已经图形化的衬底上沉积金属,并利用剥离工艺将光刻图形转化为金属图形;最后以图形化金属为掩模,用铝腐蚀液腐蚀铝膜,通过横向钻蚀形成三维腔体结构。上述步骤中,通过对光刻图形的设计、铝膜的厚度以及铝腐蚀液的腐蚀时间来对三维腔体结构的形状、高度、宽度进行调控。本发明所采用的湿法腐蚀工艺,工艺方法简单、稳定并且对材料的腐蚀选择性好,可实现大面积加工,并且可实现近完美吸收的光学特性,这将在光学器件以及生化传感方面有巨大的应用潜力。
[专利] 发明专利 CN201810869392.3
摘要:本公开提供一种多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法,该多气隙阻性井型探测器放大单元由下至上依次包括:底部DLC层、底部Apical层、Prepreg层、中部DLC层、顶部Apical层以及顶部DLC层;其中,该放大单元的上表面上形成有多个起始于顶部DLC层的上表面,终止于中部DLC层的上表面的井型孔。本公开提供的多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法中的多气隙阻性井型探测器放大单元是一个整体,不再需要依靠工作时电极产生的静电力来把单元上下两部分吸在一起,因此,在探测器打火放电,工作电压改变时,放大单元也不会因为静电力的改变而造成井型结构的变化,因此能极大的提高探测器的稳定性。
[专利] 发明专利 CN201810860391.2
南方科技大学 2018-12-21
摘要:本发明实施例公开了一种二维材料的转移系统,该系统通过采用对准装置检测转移基片载物台上的转移基片与目标基片载物台上的目标基片是否对准,并将对准检测结果反馈至主控制装置,使得主控制装置能够根据对准检测结果,控制转移基片控制装置调节转移基片载物台的位置和/或控制目标基片控制装置调节目标基片载物台的位置,并在转移基片与目标基片对准后,将转移基片上的二维材料转移至目标基片上。本发明实施例提供的二维材料的转移系统,能够采用智能化、自动化的方式实现二维材料的转移,提高二维材料的对准转移精度,使得二维材料的转移过程简单化,进而节省了人力成本和二维材料的制备成本。
[专利] 发明专利 CN201810860802.8
江西理工大学 2018-12-18
摘要:本发明公布了一种二维常力定位平台,用于在二维平面内的指定方向提供常力输出,包括力输入端、力输出端、导向机构、解耦机构、常力机构,还包括基座,导向机构和解耦机构分别包括在x方向上关于y方向对称分布的第一导向机构和第一解耦机构以及在y方向上关于x方向对称分布的第二导向机构和第二解耦机构;力输入端和力输出端对应的分别设置于第一解耦机构和第二解耦机构的两端,解耦机构分别通过可产生负刚度的双稳态梁和可产生正刚度的复合直梁连接在所述基座上;双稳态梁和复合直梁并联构成准零刚度系统。采用本发明的二维常力定位平台,实现了常力输出,二自由度运动,并且解耦性能好,定位精度高,结构简单。
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