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[专利] 发明专利 CN201811336079.X
孟静 2018-12-28
摘要:本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶板的制备装置,涉及半导体材料制备装置技术领域。所述装置通过助溶剂导模法制备大尺寸碳化硅单晶板,并设计了一种SiC/Cr导电模具,SiC/Cr导模模具将熔体以界面张力吸引至毛细方孔结构中,通过毛细方孔结构加热进一步提高碳的溶解度,碳化硅晶体在毛细方孔结构中的熔体中进行定向生长,同时SiC/Cr导模不断溶解向熔体中提供Si原子及C原子,碳化硅晶体侧面有水冷装置用以提高碳化硅晶体的界面生长稳定性,在碳化硅晶体生长出部分通过温度梯度迁移消除夹杂缺陷,具有成本低,制备的碳化硅晶体尺寸大,且质量高等优点。
[专利] 发明专利 CN201811274009.6
摘要:本发明涉及一种高效光电转化率的多晶硅锭浇铸装置,属于光伏技术领域,它解决了现有技术中多晶硅锭晶体位错密度大的问题。本高效光电转化率的多晶硅锭浇铸装置包括炉体,炉体内设有可升降运动的隔热笼,隔热笼内设有坩埚、坩埚护板、石墨底板、石墨盖板、顶部加热器和侧部加热器,石墨底板放置在热交换平台上,坩埚放置在石墨底板上,热交换平台上设有辅助冷却装置,所述的辅助冷却装置可调节冷却温度。本高效光电转化率的多晶硅锭浇铸装置在浇铸时坩埚底部铺设耐高温硅碎料,一方面起到形成晶相结构较好的形核作用,另一方面由于硅碎料涂覆有耐高温层,可防止硅碎料全部熔融导致晶体组织再次混乱,可以起到很好的固定形核作用。
[专利] 发明专利 CN201811273663.5
摘要:本发明涉及一种多晶硅铸锭节能炉,它解决了现有多晶硅铸锭炉耗能高、成本高、铸锭品质差的问题,其包括炉体,炉体内设有隔热托板,隔热托板上设有环形保温罩,环形保温罩上端封闭,环形保温罩周向内侧设有坩埚,且环形保温罩周向外侧设有加热器,炉体上端设有氩气进气口,下端设有若干氩气出气口,坩埚和隔热托板之间设有换热块,换热块上端和坩埚之间设有石墨保温盘,石墨保温盘上端抵靠在坩埚底部,下端抵靠在换热块上表面,且石墨保温盘、坩埚和换热块三者之间同心设置,且石墨保温盘周向外侧设有石墨保温条,且石墨保温条分别位于换热块上端和坩埚之间,且石墨保温条外端设有竖直保温条。本发明拥有耗能低、成本低、铸锭品质好等优点。
[专利] 发明专利 CN201811273828.9
摘要:本发明涉及一种节能型,它解决了现有多晶硅铸锭装置结构复杂,不能灵活控制炉内温度等问题,其包括隔热笼,隔热笼上端封闭,下端放置在底板上,隔热笼上端设有氩气进气口,底板上设有若干氩气出气口,隔热笼内设有隔热托板,且支撑柱分别穿设于底板上,隔热托板上设有环形保温罩,环形保温罩周向内侧设有坩埚,且环形保温罩周向外侧设有加热器,坩埚和隔热托板之间设有换热块,隔热笼上端连接有提升固定组件,提升固定组件设置在水平架体上,且水平架体连接有能驱动水平架体上下升降从而控制隔热笼下端和底板之间间隙的竖直驱动机构。本发明拥有灵活控制炉内温度、铸锭品质高等优点。
[专利] 发明专利 CN201811253103.3
深圳大学 2018-12-21
摘要:本发明公开了一种氮化铝晶体生长系统和方法,氮化铝晶体生长系统包括:晶体生长炉和与其连接的电气控制柜;电气控制柜用于获取生长控制指令,将该指令发送给晶体生长炉;晶体生长炉用于接收生长控制指令,根据生长控制指令中的指示管理自身基于氮化铝材料生长氮化铝晶体的生长环境,基于该系统,可以通过对电气控制柜的控制,实现对晶体生长炉的控制,有效保证了工人的安全,还大大降低了氮化铝晶体生长过程中需要的人工操作,提升了氮化铝晶体生长的智能化和自动化,基于该智能化和自动化,氮化铝晶体的质量和生产效率得到了保证,并使得氮化铝晶体的生产过程可重复。
[专利] 发明专利 CN201811249616.7
摘要:本发明公开一种白云鄂博稀土精矿制取混合氯化稀土的方法,包括:将白云鄂博稀土精矿与浓硫酸按质量比为1:(0.7~1.5)混合进行三段焙烧,得到稀土焙烧矿;将得到的稀土焙烧矿经浸出和除杂后,过滤排渣,取过滤所得滤液进行萃取转型,得到萃余液和负载有机相;将负载有机相用盐酸反萃,得到混合氯化稀土溶液。本发明采用低温外热式焙烧且热源与物料逆流运动,有效降低能耗;三段焙烧的方法可进一步促进稀土精矿的充分分解,避免物料粘窑,同时使物料焙烧更充分,有效降低尾气的排放量;连续浸出和逆流除杂可有效提高稀土精矿的回收率。
[专利] 发明专利 CN201811245991.4
摘要:本公开的实施例公开了一种活塞和包括其的比例阀,其包括活塞本体,所述活塞本体包括顶部、头部以及裙部,且所述活塞本体具有腔体,其中,所述顶部、所述头部与所述裙部一体成型,所述腔体贯穿所述顶部、头部以及裙部,所述顶部、头部以及裙部中的至少一个由铁磁性金属材料制成。本公开提供了的活塞和包括其的比例阀,可靠性高且性能优越,应用于多晶硅的铸锭过程中,能够提高产品质量同时降低产品的生产成本。
[专利] 发明专利 CN201811237423.X
摘要:一种单晶炉用新型连续加料装置,包括储料装置、过渡装置、固定装置、液体导出装置、加热装置,还包括投料装置,投料装置设置于炉体的上端,投料装置的正下端设置有储料装置,储料装置设置于炉体的下端,过渡装置的入口端与储料装置相连接,过渡装置设置于固定装置上端,液体导出装置的入口端与过渡装置的出口端相连接,液体导出装置的出口端设置于石英坩埚的内壁上,加热装置环绕设置于过渡装置、液体导出装置的外侧;本发明彻底解决了现有技术硅料熔融后硅液晶相分布不均匀、硅液的一致性差的难题,不需预先装料,减少加料、化料的时间,提高硅棒熔融效率和水平,提高拉晶效率,有效的降低劳动强度和生产成本,同时因为其投入少,便于推广。
[专利] 发明专利 CN201811213112.X
摘要:一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法,本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集,进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法:一、单晶金刚石籽晶清洗;二、喷金处理;三、放置样品;四、关舱;五、抽真空;六、聚焦离子束扫描刻蚀;七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
[专利] 发明专利 CN201811190245.X
摘要:本发明公开了一种底座可移动的蓝宝石晶体生长炉,其包括炉体,炉体内上部分为主腔,下部分为移动腔;移动腔内设有坩埚升降装置,坩埚升降装置由支撑底座、丝杠机构及同步电机构成,支撑底座水平安装于丝杠机构之间,同步电机设置于移动腔的底部,且与丝杠机构相连接而驱动支撑底座上下运动;支撑底座上固定焊接有支撑柱,支撑柱上方固定安装坩埚托盘,坩埚托盘上设置坩埚;支撑底座上于坩埚托盘下方设置有底加热器,底加热器下端设有底保温板。本发明采用同步电机驱动丝杠机构旋转来控制坩埚升降装置的升降,不仅实现了坩埚在炉内上下运动,且坩埚的升降位置与速度为可调控的,更加有效地提高了装卸料的效率和装卸料过程中的安全性能。
[专利] 发明专利 CN201811186188.8
兰州理工大学 2018-12-28
摘要:一种单晶铜薄板制备装置及制备方法,其结构为:(11)水平圆形通液管(11)左端通过法兰盘(9)与熔炉(14)内的通液管相连,其周围有(10)加热装置(10),右端与水平板状通液管(24)相连。水平板状通液管(24)始端设有凹槽(23),末端紧靠有冷却器(8)其内部的感应器可控制冷却水的流量。距冷却器(8)100~250mm有(6)牵引轮,牵引轮(6)和引锭单晶铜薄板(7)可同时调节牵引速度。方法步骤为:感应炉熔炼、保温、热型连铸、拉制。熔炼温度为1130~1200℃,结晶出口温度为700~850℃,冷却水量为30~50L/h,冷却距离为50~80mm,拉制速度为5~15mm/min。
[专利] 发明专利 CN201811149528.X
摘要:本发明公开了一种砷锗镉单晶生长的锗元素补偿方法,该方法采用由单晶生长坩埚、锗元素补偿装置和六温区生长炉组成的生长装置,对砷锗镉单晶生长的锗元素补偿进行控制。将高纯度的CdGeAs2多晶原料放入带有Ge元素补偿装置的坩埚中,并进行真空密封,再放入六温区生长炉中,通过精确控温,实现了CdGeAs2单晶生长和Ge元素的补偿,使所生长单晶上下两端Ge元素均匀,避免了因单晶中Ge元素不同而形成的性能不一致现象,该方法易实现,从而有效增加了单晶体的可利用率,降低了生长成本。
[专利] 发明专利 CN201811150359.1
摘要:本发明公开了一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:(1)在炉筒下端安装液面下方热场;(2)通过吊料工序将料块放置在坩埚内,将护料布均匀铺开,该护料布上一面均匀设有牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,并且该牵引线导向块设置在护料布中心处,没有牵引线一面将放置在钳锅内的料块完全覆盖,钳锅降至炉筒内的下限位,且位于液面下方热场上端;(3)安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;(4)在炉筒合好后,一手向上提拉牵引线导向块,直接取出护料布,继续合炉;(5)合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其他杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,连同吸盘一起运送至装料室。
[专利] 发明专利 CN201811149529.4
摘要:本发明公开了一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法,该方法采用VGF生长装置对Cd元素补偿的CdGeAs2单晶的生长过程进行控制,VGF生长装置包括由石英原料坩埚和平底石英坩埚组成的单晶生长坩埚和五温区生长炉,石英原料坩埚部分设为晶体生长区,平底石英坩埚设为元素补偿区,元素补偿区位于单晶生长坩埚的下方,两区域通过生长坩埚侧壁的元素补偿管相连通,将CdGeAs2和Cd原料放进两层的坩埚内,分温区和步骤控制CdGeAs2单晶生长温度,在单晶生长过程中补偿Cd元素,使晶体首尾两端Cd元素均匀分布,解决因为Cd元素不一致导致的单晶性能不统一的问题,增大单晶的有效使用体积,降低CdGeAs2单晶生长成本。
[专利] 发明专利 CN201811137295.1
摘要:本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种多晶硅锭的制备方法。该方法包括:在涂覆籽晶层的坩埚的内表面涂覆隔离层,其中,所述坩埚底部的隔离层为疏松多孔结构;在涂覆隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料,并将所述坩埚放置于铸锭炉中;熔化所述多晶硅原料,并使所述多晶硅原料在所述籽晶层的基础上结晶生长成多晶硅锭。本发明通过在坩埚底部涂覆疏松多孔的隔离层,使硅液通过隔离层的空隙渗透进入隔离层的下方,与籽晶层接触,利用籽晶层作为形核点,使异质形核率更高,晶粒更加均匀。
[专利] 发明专利 CN201811139478.7
摘要:本发明涉及一种单晶硅棒的生产方法,属于太阳能电池技术领域。一种单晶硅棒的生产方法,包括:㈠向石英坩埚内共装入原料;㈡将石英坩埚送入单晶炉;㈢进行熔料;㈣进行晶棒拉制,制得第一根晶棒;㈤加入原料;进行晶棒拉制,制得第二根晶棒㈥加入原料;进行晶棒拉制,制得第三根晶棒;㈦加入原料;进行晶棒拉制,制得第四根晶棒;㈧加入原料;进行晶棒拉制,制得第五根晶棒;㈨步骤㈧中收尾工艺完成后将第五根晶棒冷却提出后进行停炉操作。本发明的单晶硅棒的生产方法中,装料和加料时都加入钡粉,实现了一边熔料一边对石英坩埚进行多次自动喷涂,可以延长石英坩埚整体使用寿命。
[专利] 发明专利 CN201811132454.9
宜昌南玻硅材料有限公司 中国南玻集团股份有限公司 2018-11-20
摘要:一种多晶硅水冷铸锭炉溢流保护装置,整个装置包括设置在炉壳内的热电阻丝和水冷装置,热电阻丝位于水冷装置的下方;热电阻丝与控制装置电连接,在控制装置内设有电阻变送器,电阻变送器与热电阻丝电连接,用于检测热电阻丝的通断状态;水冷装置输入端与第一干管的一端连接,第一干管的另一端与水管和气管连接,在水管上设有第一阀门,在气管上设有第二阀门,控制装置与第一阀门和第二阀门电连接;第二干管与水冷装置的输出端连接。本装置防止溢流发生时,通过加设气、水交换装置快速将水冷系统的冷却水由气流替换,隔绝高温硅液与冷却水的接触,进而降低溢流所产生的炉壳爆裂风险。
[专利] 发明专利 CN201811126618.7
摘要:本发明公开了一种单晶炉晶棒定位装置,包括上炉筒和定位装置,所述定位装置设有两个,且两个定位装置对称固定在上炉筒两侧,所述定位装置外侧固定有驱动装置,所述定位装置由定位壳、固定板、滑杆、丝杆、套筒和定位板组成,所述定位壳固定在上炉筒外壁上,且定位壳一侧与驱动装置固定,所述丝杆位于套筒内部,且套筒一端外侧与固定板固定,所述滑杆一端与上炉筒外壁固定,且另一端贯穿固定板并与固定板滑动连接,所述滑杆设有两个,本发明调节板通过调节弹簧可以在凸型槽内伸缩,满足对直径范围在正负2mm的之间的晶棒进行定位,在定位过程中更加有效的对晶棒起一个保护作用。
[专利] 发明专利 CN201811127550.4
摘要:本发明公开一种节能多晶铸锭炉,包括炉体、设置在炉体内的坩埚以及用于支撑坩埚的石墨支撑柱;坩埚的四周与底部均设有石墨保护板,在坩埚底部的石墨保护板的下方设有热交换台,坩埚四周的石墨保护板的外侧均设有侧部加热器,坩埚的上方设有顶部加热器;还包括热场保温毡,该热场保温毡将坩埚、石墨保护板、热交换台、侧部加热器以及顶部加热器包围住;所述石墨支撑柱的一端与热交换台底部连接,另一端穿过热场保温毡后支撑在炉体上;所述石墨支撑柱上设有隔热件,该隔热件以包裹的方式设置在石墨支撑柱的外壁上。本发明有效减少坩埚中的热量损失,降低了能耗,减少成本。
[专利] 发明专利 CN201811112530.X
胡新军 2018-12-18
摘要:本发明公开了一种高温扩散炉体,炉体包括炉管和保温层,炉管安装在保温层内,炉管端部设置炉盖,炉管尾部设有进气口和排气口,进气口处安装进气法兰,进气法兰上安装进气管,排气口安装排气法兰,排气法兰上安装排气管,炉管内部安装由匀气组件,本发明结构设计新颖,保温效果好,而且炉管内部能够实现均匀进气和排气,提高了扩散效果,进一步提高了硅片的扩散质量。
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