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[专利] 发明专利 CN201810978541.X
山东大学 2018-10-26
摘要:本发明涉及一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用。本发明的生长装置,包括感应线圈、石英管和设置在石英管两端的上密封法兰、下密封法兰;石英管、上密封法兰和下密封法兰围成生长腔;所述感应线圈套设在石英管的外侧壁上;所述感应线圈的外侧套设有水冷罩;所述生长腔内设置有石墨托盘和石墨坩埚;石墨坩埚包裹保温材料后设置在石墨托盘上;所述石墨坩埚的顶部开口设置有坩埚密封盖。本发明的生长装置的单层石英管结构利于加速保温材料中氮的解吸附,可大幅度降低SiC单晶中氮的含量。
[专利] 发明专利 CN201810919661.2
南京工业大学 2018-10-26
摘要:本发明公开了一种利用酸沉木质素黑液中的硫酸根制备硫酸钙晶须的方法,包括以下步骤:(1)对木质素悬浮液进行过滤,得到木质素黑液,向所述木质素黑液中滴入硫酸,调节pH至1.0~2.5;(2)将步骤(1)得到的体系进行固液分离,取所得液体,向所述液体中加入氢氧化钙或氧化钙,得到沉淀液体系;(3)向所述沉淀液体系中加入有机酸,然后进行水热处理,得到硫酸钙晶须悬液;(4)将所述硫酸钙晶须悬液进行固液分离、烘干、煅烧,得到硫酸钙晶须。本发明制备得到的硫酸钙晶须不含结晶水,具有稳定性好、长径比大等优点。将本发明所得硫酸钙晶须应用到PVC塑料中,发现塑料硬度等性能指标有明显提高。
[专利] 发明专利 CN201810890775.9
摘要:本发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括:衬底层;以及微米单晶薄膜层,位于衬底层上,其中,在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层,所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层,其中,过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。
[专利] 发明专利 CN201810872208.0
山东大学 2018-09-28
摘要:本发明涉及一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法。该坩埚包括外坩埚和内坩埚;所述外坩埚为发热体,内坩埚为生长坩埚;所述外坩埚和内坩埚之间的间距为5~10mm。本发明提供的一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚,将发热体与生长坩埚分开,外坩埚起发热体的作用,内坩埚为生长坩埚,外坩埚的热量主要通过辐射方式传输到内坩埚中,内坩埚具有径向温度梯度和轴向温度梯度小的特点,采用新型坩埚,单晶生长在接近平衡态的条件下进行,因此生长的单晶缺陷密度低,适合于培养高质量SiC单晶。
[专利] 发明专利 CN201810831924.4
孟静 2018-09-28
摘要:本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的装置。所述装置主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后,经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体,然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后,在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器,实现多级电磁约束区域提纯,并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
[专利] 发明专利 CN201810832025.6
摘要:本发明公开一种用于多晶硅铸锭炉的石墨组件,包括前端石墨接杆、后端石墨接杆和测熔石墨接杆;所述前端石墨接杆中从其后端向前延伸设置有接孔,并且该接孔的端部设置为螺纹口结构;而所述的后端石墨接杆的前后端则同样设置有螺纹口结构的接孔;所述的前端石墨接杆的后端接孔与后端石墨接杆的前端接孔相对应。本发明中整体结构为石墨材料制成,设置有前端石墨接杆、后端石墨接杆以及放入至多晶硅铸锭炉的测熔石墨接杆;通过石墨材料制作,其整体结构更加导热,测熔石墨接杆上的热量容易导出到前端和后端石墨接杆上增加整体结构的使用寿命,本装置每30炉才需要更换一根测熔石墨接杆,大大降低了成本并提高了工作效率。
[专利] 发明专利 CN201810831907.0
孟静 2018-09-18
摘要:本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的方法。所述方法主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后,经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体,然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后,在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器,实现多级电磁约束区域提纯,并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
[专利] 发明专利 CN201810825693.6
摘要:本发明提供了一种砷化镓多晶合成装置,包括加热装置、反应容器和承装容器,所述加热装置具有加热腔,所述反应容器安装在加热腔内,所述反应容器具有相连通的上腔和下腔,所述承装容器安装在所述上腔内,所述承装容器设有向上的开口,且所述开口与所述上腔相连通。本发明从原理上采用垂直布里奇曼法进行多晶合成,合成的多晶料要多于现有技术,提高生产量;而且由于多晶料在承装容器内成型,因此在单晶装料时,可与承装容器完全匹配,提高每炉次的投料量并降低单晶生产成本竖直。
[专利] 发明专利 CN201810790060.6
摘要:本发明公开了一种1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法,该生长方法包括称量溶剂和1,3,5‑三苯基苯原料、配制溶液、获得近饱和溶液、放入籽晶、分步降温和晶体生长。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法使用的溶剂为吡啶。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法生长的晶体为长条形无色透明的单晶,属于正交晶系,Pn21a空间群,荧光发射峰值波长为378nm,熔点174.6℃,密度1.20g/cm3。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法具有生长周期短,成品率高的优点。
[专利] 发明专利 CN201810756815.0
摘要:本发明公开一种晶须生产工艺,属于晶须生产技术领域,具体涉及一种制备高模量β‑Si3N4晶须的生产工艺;一种制备高模量β‑Si3N4晶须的生产工艺,包括原材料准备、制浆、转晶烧结、晶须成品检测和晶须清洗五个步骤。本发明不需要事先压块,直接将反应混合物装入内壁涂有氮化硼的多孔石墨坩埚中,按烧结曲线加热,该反应无环境污染,化学稳定性好、耗能低,产出率接近100%,并且制备工艺成本低廉,无环境污染,耗能低,时间短,工艺简单,易于实现。
[专利] 发明专利 CN201810770309.7
摘要:本发明涉及太阳能电池扩散技术领域,尤其涉及一种改良型太阳能电池片扩散炉,将硅片槽倾斜设置后,硅片能够倾斜设置在炉管内,炉尾端的进气口放在炉尾端的上部,抽气口仍然放在炉的下部,硅片沿气流方向倾斜,优化扩散炉管内气场氛围,提高了携源氮气与硅片中间区域的接触,减小硅片中间方阻和边缘方阻的差值,改善扩散方阻的片内均匀性。
[专利] 发明专利 CN201810746596.8
摘要:本发明创造提供了一种区熔单晶炉新型吊料装置,主要解决了吊料装置容易变形和吊料量满足不了目前需求的问题。它包括多晶料调整组件和卡料盘组件。多晶料调整组件由调整盘本体、两个拨片、两个旋转轴、四个旋转轴底座、三个调整螺栓组成。其中旋转轴底座焊接在调整盘本体上,拨片通过旋转轴装配在旋转轴底座上;调整螺栓装在调整盘上,彼此相隔120度角。卡料盘组件由直槽卡料盘,弯槽卡料盘,变径悬挂杆,三个卡料螺栓组成。变径悬挂杆与直槽卡料盘焊接;弯槽卡料盘通过卡料螺栓与直槽卡料盘装配;卡料螺栓可在直槽和弯槽中滑动,调节三个卡料螺栓与多晶料接触。本发明可有效降低吊料装置的变形量,提高拉晶过程中多晶料的稳定性及生产的安全性。
[专利] 发明专利 CN201810740381.5
孟静 2018-10-26
摘要:本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备方法,涉及多晶硅的制备方法技术领域。所述方法首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素,然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素,然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯,通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质,提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
[专利] 发明专利 CN201810733684.4
摘要:本发明属于多晶硅铸锭领域,特别涉及一种侧加热器可移动的铸锭炉及其铸锭工艺,包括炉体,位于炉体内的隔热笼,隔热笼内设置有通过护板围合并在其内有多晶硅的容腔;其特征在于:所述炉体内壁设置有搁置台,隔热笼搁置在搁置台上;所述隔热笼连接有提升装置,所述容腔的两侧设置有侧加热装置,所述提升装置和侧加热装置通过并联架同步连接于炉体外。本发明在铸锭的加热、熔化、长晶及退火阶段调节侧部加热器与石英坩埚的相对位置,来实现对多晶硅内部温度分布的有效控制,充分利用能量,并获得一个平坦的固液界面,从而实现节能、高效、高品质铸锭。
[专利] 发明专利 CN201810737779.3
摘要:本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜;设定压力为900‑1000mbar,当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时,将感应线圈提升至籽晶区域,使得籽晶区域的温度略高于AlN粉源区域温度5‑20℃;恒温恒压一定时间后,快速下降感应线圈至AlN粉源区域,同时将炉体气压降低至200mbar,在此恒温恒压条件下进行AlN晶体生长。使用本方法,该AlN膜层在升温阶段能防止底层的籽晶挥发被破坏,当温度上升至生长温度阶段,通过移动感应线圈逆转籽晶温度和粉源区域温度梯度,使得AlN镀膜层逐渐挥发,并通过降压实现正常的AlN单晶生长。
[专利] 发明专利 CN201810733556.X
孟静 2018-10-26
摘要:本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置,涉及半导体材料的制备装置技术领域。所述装置主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体,镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体,镓‑钠熔体回流至回流系统中,在回流系统中不断放入氮化钠,氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态,饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长。
[专利] 发明专利 CN201810723716.2
摘要:本发明公开了一种蓝宝石加工炉体保温装置,涉及珠宝加工技术领域。本发明提出的蓝宝石加工炉体保温装置是用于对蓝宝石加工炉体进行保温的装置。其包括:保温筒,温度传感器以及控制器;保温筒可套设于蓝宝石加工炉体上,保温筒包括内保温层、真空隔热层以及外保温层;温度传感器设于蓝宝石加工炉体的外表面;控制器与温度传感器电连。通过应用本发明实施例的技术方案,保温筒包括内保温层、真空隔热层以及外保温层,从而极大地提高了蓝宝石加工炉的保温效果,有效地避免了能量浪费。
[专利] 发明专利 CN201810698438.X
摘要:本发明公开了一种用于水平舟生产法的反应装置和水平舟生产法的半导体制备方法。该装置包括密闭反应管,所述反应管在水平方向的不同位置处布置有水平舟容器,其中,所述水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器,在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置,在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器,其中,所述支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器,并在所述第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。本发明提供的装置和方法可实现水平舟的更灵活布置,并改进半导体的生产工艺。
[专利] 发明专利 CN201810702636.9
天津大学 2018-10-12
摘要:一种用于有机晶体自发成核生长的环形阶梯底座及系统,该环形阶梯底座具有一环形阶梯凹槽,该环形阶梯凹槽由多级环状L型凹槽呈阶梯分布而成,其能够覆盖设置于育晶瓶内底部,供自发成核的晶核自然降落到环状L型凹槽中;该有机晶体自发成核生长系统包括水浴循环装置、温度控制装置和晶体生长装置,该水浴循环装置包括水浴循环缸和循环泵,以对水浴循环缸内水溶液进行循环,温度控制装置用于对水浴循环缸内水溶液进行温度调控,晶体生长装置包括育晶瓶和设置于育晶瓶内底部的环形阶梯底座,该育晶瓶设置于水浴循环缸内。本发明可以有效控制晶核成核位置,有效避免晶核生长过程中晶体粘连问题,还可以保持水溶液温度稳定性,提高晶体成品率。
[专利] 发明专利 CN201810713117.2
摘要:本发明提供了一种用于调节区熔炉压力的保护装置,包括置于区熔炉体外壁连通的管路,所述管路的另一端与外部空气连通,所述管路上设有防爆阀,通过所述防爆阀将所述区熔炉体密封,所述防爆阀和所述区熔炉体外壁之间的所述管路上还设有压力传感器。本发明所述的一种用于调节区熔炉压力的保护装置,通过设计的装置,能够对炉体内的气体压强进行监控或者保证炉体密封处的压强不会超过炉体额定压力,实现自动的调节,保证区熔炉体的安全性能。
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