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[成果] 0800320708 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2007
成果简介:研究大功率GaN器件的自发极化和压电极化效应,材料生长、器件制造和封装中的关键技术,纳米栅长尺度下AlGaN/GaNHFET的器件物理和工艺问题。在GaN材料方面,围绕蓝宝石和SiC衬底上生长GaN缓冲层技术、高质量半绝缘GaN外延膜的获得、高质量AlGaN/GaN异质结生长等关键技术开展工作。开发超高频HBT器件和电路,采用InP基HBT结构,优化异质结能带结构,采用高禁带宽度材料的发射极、电子迁移率高且极薄的基区、击穿场强和迁移率都高的集电区,满足未来微波功率放大电路对更高频率、更低功耗和更高功率附加效率器件的要求。预期目标:研制成功C波段和X波段GaN高频功率器件和相关材料,提供使用单位试用,其中C波段GaN高频功率器件达到使用要求;研制出Al<,2>O<,3>和SiC衬底上的GaN外延材料,GaN外延材料性能达到国际先进水平;研制成功性能可靠的X波段HBT功率放大器电路,并提供使用单位试用;究成功InP基新结构HBT材料和器件。
[成果] 0500950670 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2005
成果简介:一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1.成果内容简介:(1)0.5微米基础工艺是0.8-1.2微米微细加工工艺技术研究的一部分成果。(2)该成果直接应用领域是超大规模集成电路。微细加工技术对光电子、微传感、微光学和微机械学等领域也有重要意义。研究成果涉及电子束曝光、X射线曝光等亚微米图形的形成方法和手段,磁增强反应离子刻蚀等图形转换技术和设备以及0.5微米器件结构和电路制作工艺。2.技术指标:(1)通过工艺研究解决了电子束抗蚀工艺优化和邻近效应对亚微米图形加工的影响等问题。在不具备先进设备的条件下实现亚微米(0.4-0.8微米)图形加工和初步应用,并且应用JBX-6AII电子束曝光机完成多项研究任务的光刻掩模制作,促进研究任务的完成。(2)X射线光刻技术研究中建立了一套X射线掩模制备和光刻工艺方法,在国内首先获得深亚微米和纳米尺寸(最细线宽73纳米)的光刻结果,其中93纳米图形高宽比为24,达到国际先进水平。在应用研究中,用X射线光刻和相关技术已首先在国内研制成中心频率为1.1GHz的亚微米声表面波器件和深亚微米栅HEMT(跨导为200ms/mm)。(3)自主地研究和开发了磁增强反应离子刻蚀设备和工艺技术,实现了亚微米和深亚微米团形的刻蚀加工。在技术开发方面,研制成的ME-3型和MRIE-901型设备,在推广应用中取得了一定的社会和经济效益(累计创收已超过百万元)。(4)在0.8微米工艺的研究基础上,解决了0.5微米器件结构和工艺的关键问题,研制成0.5微米M0S器件和0.5微米CMOS四位乘法器。四位乘法器的最高工作频率达20MHz,集成规模为近千个器件。研制成的61级环振电路最小延时为230ps级。二、经济、社会、环境效益及推广应用前景:通过专题研究,对今后0.5微米工艺技术的应用研究,以及电子束光刻、X射线光刻和干法刻蚀等技术发展的关键问题有了更深入的了解,不仅为自主地发展亚微米技术积累了有益的经验,而且有利于打破国外的禁运限制与引进和吸收国外技术。有的技术已在实际应用中取得一定的经济和社会效益。上述基础工艺和技术在多个领域的微细加工方面都有广泛的需求和应用前景,但是目前关键设备技术(如先进的电子束光刻设备,StePPer等)的解决是进一步发展的首要问题。三、成果转化可行性:0.5微米基础工艺研究是进一步研究的有益的尝试。从“八五”研究情况看,在微细加工手段方面的不足主要是问题。亚微米光刻技术是微细加工进一步发展的关键的问题。根据美国SIA对光刻技术研究与发展情况所作分析的预测,0.5微米器件与电路的生产要靠先进的光学I线Stepper,而且它还可能延伸到0.35微米技术的应用。再进一步的发展则可有多种技术选择。其中远紫外光刻和X射线光刻是最有应用前景的技术特别是X射线光刻技校将是0.18微米的1GbDRAM和0.13微米的4GbDRAM生产的主要手段。电子束光刻在某些情况下也不少为一种有效的方法。0.5微米和0.5微米以下的技术的研究与发展,需要有相当规模的投资和良好的技术支持,否则该项研究不可能达到规模应用的水平,根据“八五”的经验,以引进先进技术的同时认真坚持自主地研究开发新技术新工艺,最大限度地发挥智力潜力,就可能使研究取得更大成效。
[成果] 0500950674 北京
TM5 应用技术 电子器件制造 公布年份:2005
成果简介:一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:该成果是互锁轻触(触摸)通用电子开关CMOS集成电路,它可以在六位互锁或三位互锁下工作。在六位互锁应用时,当某端输入为低电平“0”时其相应输出n-MOS管道通,具有低输出电位和低输出电阻,工作电流可大于30mA,并寄存输出状态,而其它输出关闭不导通处于低阻输出时,可直接驱动LED、小型继电器、可控硅触发电以及其它各种逻辑电路,此外,还有选择方式控制端,实现六、三互锁转控制和表明输入作用的指示端。该电路采用双列直播16线塑封装。关键技术是解决高电压、低功耗、无噪声和大驱动电流输出的设计和工艺问题,达到批量生产目的。主要技术指标是:静态电流IDD=70μA该成果采用全隔离设计和全离子注入技术,减少了高温处理过程,提高了工效、提高了产品的成品率,且质量得到保证。在成果商品化生产和用户使用3年中均未发现质量问题,产品替代了国外进口电路,占领了国内市场。二、经济、社会环境效益及推广应用前景“八五”期间已销售电路25万块,经济效益75万元。该成果在音响和其他家电以及仪器仪表行业得到广泛的应用,其发展前景是很好的。
[成果] 0500950763 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2005
成果简介:一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、成果内容简介:开发出20A/100V,25A/100V,30A/100V,15A/150V,20A/150V,35A/150V,15A/200V,20A/200V,15A/250V,19A/250V,10A/500V,8A/600V,6A/700V,3A/800V,50V/50V,40A/100V,30A/200V,25V/250V,15A/350V,4A/850V,2A/900V等器件。2、在完成攻关项目过程中开发出其它系列的VDMOS品种36个,现在微电子中心已能生产VDMOS产品共70个。3、攻关过程中解决的重大技术:(1)VDMOS器件设计优化:根据不同VDMOS器件设计优化:根据不同VDMOS器件参数建立了系列标准单元元胞,使设计标准化、规范化;(2)大面积集成技术:一个大电流VDMOS器件是由几万个元胞并联而成,它相当于10几万个MOS管组成,每一个器件就相当于一个大规模集成电路规模。(3)高阻厚外延技术:外延层厚度50-100微米可控;外延层电阻率:20-100Ωcm可控。(4)VDMOS器件工艺优化:外延层厚度、电阻率的选择;注入剂量的选择及控制;双扩散(沟道长度)工艺;半绝缘多晶硅(SiPOS)工艺;表面纯化工艺;减薄及背金工艺。(5)完成了VDMOS器件工艺线3in改4in二、经济、社会、环境效益分析及推广引用前景经过“八五”攻关,中国科学院微电子中心大电流VDMOS器件方面已具备了批量生产的技术条件。其它产品具有广泛的应用前景和较好的经济效益:1、开关电源:预计每年需200万支VDMOS器件,按10元/支计;2000元;2、固体继电器:预计每年需VDMOS芯片600万个,按5元/芯计:3000万元;3、电子开关:预计每年200万支VDMOS器件,按5元/支计:1000万元;4、感应加热电源:1000万元;5、节能灯具:1500万元。6、交通运输:3000万元。7、电机控制:1000万元。合计:1.25亿元。若占领市场10%:1250万元。若占领市场30%:3750万元。若占领市场50%:6250万元。三、成果转化的可行性:1.基本设想该成果可采用下述2种方式转化为生产力:(1)由国家有关部门支持、社会集资入股及银行贷款,对中科院微电子中心现有设备进行部分改造,形成年投片(4in)6万片的生产能力。采用该项研究成果进VDMOS器件进行规模化生产。(2)将中国科学院微电子中心的研究成果及技术转让到有条件进行规模化生产的企业进行生产。2.可行性大电流VDMOS器件生产由于难度较大,技术要求较高,它是将功率器件技术和大规模集成电路技术融合在一起的高新技术,所以采用第一种方式的成功率较高,可行性较大。而采用第二种方式的成功率及可行性较第一种要差一些。
[成果] 0601680047 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2005
成果简介:该项目研究成果由两个九·五国家重点科技攻关专题组成:一个为97-762-01-01“0.35微米集成电路关键技术”;另一个为97-762-01-03“0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”。此两专题依据合同规定并超出合同要求在国内率先深入、系统地开展了0.35/0.25/0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究, 研发成功了8项可实用化的工艺模块,为今后开发生产工艺奠定了基础。包括:1. 超陡的倒掺杂沟道剖面的优化设计和工艺实现方法;2.超浅的高浓度S/D 延伸区结构设计与实现技术;3. 超薄氮化栅氧化膜制备技术;4.双多晶硅栅电极结构;5.高精度、高选择比干法刻蚀技术;6.薄的、低电阻硅化物SALICIDE技术;7.电子束与Stepper混合光刻技术;8.两次SOG平坦化及双层布线技术。上述成果已申报五项发明专利:1.70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 (申请号00315748.4) 2.70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法(申请号00315749.2) 3.采用锗或锑预无定形注入 及清洗 的钛硅化物方法(申请号00315750.6) 4.锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法(申请号00315751.4)5.一种钴自对准硅化物的方法(申请号00315752.2)在上述关键工艺取得突破的基础上完成了0.25/0.18/0.1微米CMOS工艺集成及工艺流程优化研究,在国内率先研制成功了性能优良的沟道长度为70nm的CMOS器件及沟道长度为100nm的57级CMOS环形振荡器电路。鉴定委员会认为:CMOS器件的各项特性指标和环形振荡器速度达到了国际上同类研究工作的先进水平。同时,采用双层布线,在国内首次研制成功了沟道长度分别为0.18和0.25微米的各三种千门级CMOS实用电路,其中1000门规模的电压-频率转换电路可工作在300 MHz(0.18微米工艺)和280 MHz(0.25微米工艺),3000门规模的打印机接口电路芯片圆片成品率达到68-78%,6000门规模的控制电路芯片圆片成品率为33-50%,并通过了用户使用考核。鉴定委员会认为:该工作所开发的技术属国内领先,缩短了中国集成电路技术研发水平与国际先进水平的差距,其中70nm CMOS器件研究达到国际上九十年代中后期先进水平,是中国一项重大的科研成果。该项目成果的8项可实用化的工艺模块可进行转化,同时为国家重大基础性研究项目及大专院校的研究项目提供了技术服务。
[成果] 0600690288 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2004
成果简介:硅外延片是半导体集成电路产业的关键基础材料,建立在外延硅材料上的集成电路使得信息时代的国际互联网、电子商务、通讯、电脑、消费电子、工业自动化、控制分析系统及强大国防防御系统成为现实。硅外延处主要应用于半导体制造业,自八十年代初以来,为了获得高器件成品率,通常需要无表面缺陷、晶体质量优良的硅外延片。应用领域:(1)各种存储器和通讯电路的CMOS器件。(2)功率场控器件(VDMOS、IGBT、SIT)。(3)双极器件(BIPOLAR)。(4)BICMOS。
[成果] 0300630246 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2003
成果简介:项目介绍:该中心建有一条设备先进的后工艺封装生产线,为微电子中心科研、开发、生产服务,同时也承接对外封装服务。封装线成立多年,设备先进、工艺技术成熟,工程技术人员经验丰富。后工艺线产品质量达到国内先进水平,并赢得广大客户的信任,该线于1998年4月,通过了ISO9002质量体系认证。后工艺线目前年封装能力达1500万支以上。封装品种有:IC(DIP):8pin;14pin;16pin;18pin;20pin;24pin。TR:TO-126;TO-220。竭诚寻求与半导体行业厂家及科研单位在各方面的合作。
[成果] 0300630245 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2003
成果简介:项目介绍:该中心光掩模及超细微加工技术实验室是一个为全国服务的光掩模制造和超细微图形加工技术研究综合实验室。实验室拥有GCA 3600F图形发生器、GCA 3696分步重复精缩机和JEOL JBX 6AII电子束曝光系统等微米级掩模制造设备;拥有光束斑为8纳米,极限曝光线条达0.03微米的JEOL JBX 5000LS电子束光刻系统,可提供亚微米掩模制造、深亚微米晶片直写光刻技术服务和纳米级结构曝光实验,是目前国内仅有的一部有效地应用于深亚微米、纳米图形加工的设备。实验室以中国科学研究院所、国家重点实验室和全国高等院校为主要服务对象。
[成果] 0300630247 北京
TQ0 应用技术 技术检测 公布年份:2003
成果简介:项目介绍:该中心质量室理化分析组有先进的进口仪器:石墨炉原子吸收分光光度计、紫外分光光度计、离子色谱仪、颗粒计数器等。能为半导体生产使用的高纯水、化学试剂、高纯气等进行质量检测。主要项目:气体检测:可检测高纯气管道、气体净化器、高纯液氮、液氧、氢气及各种钢瓶气中有害杂质的分析,如O<,2>、N<,2>、H<,2>、CH<,4>、CO、CO<,2>等。高纯水及化学试剂检测:高纯水中可检测PPB级的阴阳离子;钾、钠、铜、镁、锰、铁、锌等阳离子;氯可溶性硅等离子;还可分析细菌、颗粒、耗氧量、pH值等。化学试剂可检测MOS级、优级纯、化学纯等试剂中阳离子杂质。可对氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、冰乙酸、乙醇、丙酮、过氧化氢、氟化铵及碱类等试剂中进行阳离子杂质分析。其它方面:对各种水源、矿泉水、纯净水等进行阴离子的分析;对血清、头发、尿中等有害阳离子的分析;也可对地质、冶金、化工、石油、医药卫生、食品、环保、保健等方面服务。
[成果] 0300630248 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2003
成果简介:项目介绍:前工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件有结型场效应器件的加工,月生产能力为4英寸片5000片。该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证,生产过程采用SPC统计技术进行控制。双极电路加工生产:具有完整的双极电路加工生产的全部工艺:光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸(或溅射)铝、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路版图设计,也可由用户设计,代用户加工生产。电路版图设计的主要要求如下:最细线宽:≥5μm;套刻间距:2μm;引线孔:≥4×4μm<'2>;铝线宽度:≥8μm;铝线间距:≥4μm。该生产线可批量加工生产双极开关电路、模拟电路、数模混合电路、高压(60V ̄90V)双极电路等。CMOS电路加工生产:具有完整的CMOS电路加工生产的全部工艺:光刻、P阱或N阱、离子注入、Si<,3>N<,4>、多晶硅、RIE、扩散氧化、电子束蒸AL(或溅射Al-Si)、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路及版图设计,也可由用户设计,代用户加工生产,版图设计的主要要求如下:最细线宽:≥4μm;套刻间距:2μm;引线孔:≥4×4μm<'2>;铝线宽度:≥8μm;铝线间距:≥4μm。该生产线可批量加工生产硅栅或铝栅的数字电路,模拟电路,低压低耗电路等。功率器件加工生产:具有完整的VDMOS、TGBT等中小功率及大功率器件,加工生产的全部工艺:外延、光刻、RIE、离子注入、氧化扩散、减薄、背面金属化、功能测试等。可根据用户要求进行版图设计及加工生产,也可按用户设计进行批量加工生产。结型场效应晶体管(JFET)加工生产:具有完整的JFET加工生产的全部工艺及参数控制检测方法;外延、光刻、扩散、氧化、RIE,减薄、背面金属化,Vp调节及控制软件等。可根据用户提出的参数要求进行版图设计及加工生产,也可按用户设计进行加工生产。
[成果] 0300730075 北京
TN3 应用技术 矿山、冶金、建筑专用设备制造 公布年份:2003
成果简介:一、开发专用光刻机的必要性:1.电力电子器件(PSD)和薄膜电子器件(TFD)在中国目前发展很快,而且经济效益比集成电路好得多,前者对节约能源,后者对提高控制系统的可靠性都起着十分关键的作用。PSD和TFD的芯片有一个共同特点,图形结构面积和最小特征尺寸都是特别大,因此借用集成电路光刻机与其说不好用,不如说根本就不能用。这样势必严重影响技术与质量的进一步提高,他们迫切需要自己行业的专用光刻机。2.国外电力电子器件和薄膜电路器件的芯片光刻专用设备目前只有薄膜光刻机,但这两者廉顾的专用光刻机还没有。二、该项目方案设计的特点(与国外同类型比):1.独特的全幅对准分离视场显微系统,既有超低倍大视场又有可以高倍小视场精密对准的特点,因此它既适用于电力电子器件、薄膜电路,也可适用于半导体集成电路,使用范围很广。2.具有纯接近式曝光特点,这样可以显著提高光刻质量从而提高成品率。3.可以直接应用X光软片进行光刻。4.高精度预定位系统可以确保安全自动操作。
[成果] 0300730083 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2003
成果简介:微电子中心受南京中旭微电子公司委托,承担了“硅霍尔传感器集成电路研制开发和生产”课题,自1995年1月至1998年6月共完成研制开发8个产品,并投入生产。此八个产品的性能均达到了或优于国外同类型产品的水平,由中科院微电子中心生产芯片,南京中旭微电子公司封装销售。除满足国内市场需求外,80%产品出口美国和东南亚市场,自1995年至1998年6月,微电子中心销售芯片共获销售额1511万元,获得了较大的经济效益。预计随着东南亚经济的好转,市场销售更大,效益更好。
[成果] 0500560757 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2003
成果简介:该专利是一种接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法。该方法包括:1.光刻小源漏版,用电子束直写曝光,完成源漏与有源区的欧姆接触部分,检测显示隔离岛腐蚀状况的方块金属;2.光刻岛版,腐蚀出有源区;3.光刻大源漏栅版,并使形成的大源漏与小源漏搭接在一起,形成完整的源漏金属区,同时形成大面积的栅金属区;4.光刻栅版,通过电子束曝光形成精细的栅条,并与步骤3形成的大面积的栅金属搭接形成完整的栅区。
[成果] 0300750368 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2002
成果简介:该项成果是发展超高频器件及电路所需的关键技术。研究中开发了具有“纳米规镶嵌结构”的新结构低应力SiNXX射线光刻掩膜和SiC掩膜,窗口面积分别达到50×50mm<'2>和30×20mm<'2>;研制出X射线深亚微米到纳米尺寸的光刻工艺及模拟软件、0.1~0.25μm T型栅光刻新工艺及0.15μm栅长GaAsPHEMT器件;解决了分子泵抗Cl、Br基气体腐蚀以及尾气处理等难题。在精细对准技术、X射线光刻模拟软件、ICP高密度等离子体源、GaAs高速刻蚀技术、0.1μm HFET混合光刻制备技术、电子束三层胶T型栅光刻技术等方面有所创新。
[成果] 0200470032 北京
TH7 应用技术 通用仪器仪表制造 公布年份:2002
成果简介:利用紫敏硅光电二极管研制成的190nm脉冲激光功率计,其技术性能为:电源:AC220V 50Hz;量程:0-199.9mW 0-1.999W;分辨率:0.1mW;不确定度:±5%;外形尺寸:200×165×65mm;显示方式:LED;激光参数:193nm 10-100Hz;脉宽2.5ns;使 用环境:温度20±10℃ 湿度<80%RH;有效测量口径:12mm;用途:准分子激光眼科治疗机监测,微电子领域亚微米准分子激光投影光刻机的光刻控制以及其它的相关场合。另外可根据用户具体要求做成各种波长(包括190nm、192nm、248nm、254nm等)光源的功率计和能量计。
[成果] 0500550277 北京
TM2 应用技术 专用化学产品制造 公布年份:2002
成果简介:PSPI-H型光敏聚酰亚胺胶是一种既光敏又耐高温的双功能光刻胶。它具有耐高温、耐腐蚀、绝缘性好和较强的机械性能等优点。在微电子、航空航天及冶金行业中有着广阔的应用前景。该产品的主要性能指标为:(1)耐温400℃;(2)灵敏度为20-80MJ/cm<'2>;(3)胶厚为0.5-10μ;(4)抗等离子体腐蚀;(5)分辨率为0.2-0.8μ;(6)绝缘性可与SiO<,2>相比。该产品在微电子领域可作光刻胶、多层布线和多层组装中的绝缘层、钝化层、平坦化材料、剥离材料;在航天、冶金领域中可作吸收层及涂料;在信息领域可作彩色显示;可用广凸版印刷;在微机械领域中可作电铸模用。合作方式:面议。
[成果] 0500710076 北京
TN3 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2002
成果简介:接近式光刻机是该项目专门设计用于电力电子器件和薄膜电器生产的。电力电子器件(PSD)和薄膜电子器件(TFD)在中国家目前发展很快,而且经济效益比集成电路好得多,前者对节约能源,后者对提高控制系统的可靠性都起着十分关键的作用。PSD和TFD的芯片有一个共同特点,图形结构面积和最小特征尺寸都是特别大,因此借用集成电路光刻机与其说不好用,不如说根本就不能用。这样势必严重影响技术与质量的进一步提高,因此迫切需要该行业的专用光刻机。国外电力电子器件和薄膜电路器件的芯片光刻专用设备目前只有薄膜光刻机,但这两者兼顾的专用光刻机还没有。该光刻机与国外同类型设备相比,具设计特点如下:(1)独特的全幅对准分离视场显微系统,即有超低倍大视场又有可以高倍小视场精密对准的特点,因此它即适用于电力电子器件、薄膜电路,又适用于半导体集成电路,使用范围很广;(2)具有纯接近式曝光特点,这样可以显著提高光刻质量从而提高成品率;(3)可以直接应用X光软片进行光刻;(4)高精度予定位系统可以确保安全自动操作。电力电子器件和薄膜电路,以及光刻工艺接近的传感器件等全国用户在一百几十家以上,因此该产品具有广泛的国内外市场。合作方式:面议。
[成果] 0300610217 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2001
成果简介:该工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件及结型场效应器件的加工,月生产能力为4英寸片5000片。该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证,生产过程采用SPC统计技术进行控制。双极电路加工生产:具有完整的双极电路加工生产的全部工艺:光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸(或溅射)铝、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路版图设计,也可由用户设计,代用户加工生产。电路版图设计的主要要求如下:最细线宽:≥3μm;套刻间距:1μm;引线孔:≥3×3μm<'2>;铝线宽度:≥6μm;铝线间距:≥3μm;该生产线可批量加工生产双极开关电路、模拟电路、数模混合电路、高压(60V-90V)双极电路等。CMOS电路加工生产:具有完整的CMOS电路加工生产全部工艺:光刻、P阱或N阱、离子注入、Si<,3>N<,4>、多晶硅、RIE、扩散氧化、电子束蒸Al(或溅射Al-Si)、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路及版图设计,也可由用户设计,代用户加工生产,版图设计的主要要求如下:最细线宽:≥3μm;套刻间距:1μm;引线孔:≥3×3μm<'2>;铝线宽度:≥6μm;铝线间距:≥3μm;该生产线可批量加工生产硅栅或铝栅的数字电路,模拟电路,低压低功耗电路等。功率器件加工生产:具有完整的VDMOS、IGBT等中小功率及大功率器件,加工生产的全部工艺:外延、光刻、RIE、离子注入、氧化扩散、减薄、背面金属化、功能测试等。可根据用户要求进行版图设计及加工生产,也可按用户设计进行批量加工生产。结型场效应晶体管(JFET)加工生产。
[成果] 0300610218 北京
TN4 应用技术 电子器件制造 公布年份:2001
成果简介:微电子中心建有一条设备先进的后工艺封装生产线,为微电子中心科研、开发、生产服务,同时也承接对外封装服务。封装线成立多年,设备先进、工艺技术成熟,工程技术人员经验丰富。后工艺线全体员工一直致力于加强产品质量管理,以质量第一,用户第一为原则,使产品质量达到国内先进水平,并赢得广大客户的信任,该线于1998年4月,通过了ISO9002质量体系认证。后工艺线目前年封装能力达1500万支以上。封装品种有:IC(DIP):8pin;14pin;16pin; 18pin;20pin;24pin。TR:TO-126;TO-220。寻求与半导体行业厂家及科研单位在各方面的合作。
[成果] 0101440008 北京
S22 应用技术 农、林、牧、渔专用机械制造 公布年份:2001
成果简介:该机组包括:秸秆粉碎机、秸秆解离机、震动筛等配套设备,一套机组需电力30KW,厂房面积80-100M<'2>,场地300M<'2>,单班用水量40-50T。该机组广泛适用于植物秸杆的解离和综合利用。采用高新技术将低谷秸杆加工成高价,高附加值的产品,为中国广大农村经济的发展将发挥重要作用。功能;该机组的功能是将植物秸杆,如玉米秸秆、稻草、麦秸等解离成三种产品:草纤维;植粉;残渣。并分别进行加工利用。草纤维可取代木材加工人造板,制纸浆造纸等;植粉含蛋白,脂肪、矿物质、维生素及微量元素等,是加工饲料的上乘原料;残渣亦含有相当的营养物质,经配料生化处理可加工成高效生物复合肥料。以上三种产品,除加工人造板使用少量化工胶外,均无环境污染。由于植物秸秆的种类不同,其含纤维、植粉、残渣数量也不尽相同。一般来讲,麦秸、稻草、玉米秸秆含纤维量分别在80%,75%,50%左右,植粉含量分别在13%、15%、40%左右,残渣量在体在10%上下。因此,在实践中要根据植物秸秆种类和地域的不同,因地制宜,有针对性科学合理地利用资源,以求取得更大的经济效益。该机组在生产加工过程中无环境污染,生产用水不排放。可沉淀、净化循环利用。
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